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CDM3-800 TR13 /MOSFET N-Ch 3A 800V PFC FET 11.3nC 3.8Ohm 80W
CDM3-800 TR13的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:800 V

Id-连续漏极电流:3 A

Rds On-漏源导通电阻:3.8 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:11.3 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:80 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Reel

系列:CDM

晶体管类型:1 N-Channel

商标:Central Semiconductor

下降时间:25 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:23 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:CDM3-800 PBFREE TR13

单位重量:4 g

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